onsemi FQP6N40CF
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-05-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
VishaySIHP6N40D-GE3
MOSFET, N-CH, 400V, 6A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP6N40CF fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, FRFET®, 400 V, 6 A, 1.0 Ω, TO-220
Transistor,mosfet,n-Channel,400V V(Br)Dss,6A I(D),to-220 Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQP6N40CF
Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance625 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation73 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation73 W
Rds On Max1.1 Ω
Rise Time65 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité