onsemi FQP3P50
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2024-03-30
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP3P50 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -500 V, -2.7 A, 4.9 Ω, TO-220
TRANSISTOR, P-CHANNEL, QFET MOSFET, -500V, -2.7A, 4.9 OHM, -55 TO 150C, TO-220
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 500V, 4.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):4.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-5V; Power Dissipation Pd:85W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:SOT-78B; Current Id Max:-2.7A; On State Resistance Max:4.9ohm; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:85W; Power Dissipation Pd:85W; Pulse Current Idm:10.8A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-500V; Voltage Vgs Max:-30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:-5V
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Current Rating-2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-500 V
Drain to Source Resistance4.9 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-500 V
Dual Supply Voltage-500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance660 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation85 W
Rds On Max4.9 Ω
Resistance4.9 Ω
Rise Time56 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)-500 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité