onsemi FQP2N90
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP2N90 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 900 V, 2.2 A, 7.2 Ω, TO-220
85W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 15nC@ 10 V 1N 900V 7.2¦¸@ 1.1A,10V 2.2A 500pF@25V TO-220-3 9.4mm
Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.2A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):7.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:SOT-78B; Current Id Max:2.2A; On State Resistance Max:7.2ohm; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:85W; Power Dissipation Pd:85W; Pulse Current Idm:8.8A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Current Rating2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance7.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance500 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation85 W
Rds On Max7.2 Ω
Resistance7.2 MΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité