onsemi FQP27N25
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-10-12
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRFB31N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 31A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-30V
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP27N25 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET N Channel 250 Volt 25.5 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 Rail
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 250 V, 25.5 A, 110 mΩ, TO-220
Trans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Single N-Channel 250 V 180 W 65 nC DMOS Through Hole Mosfet - TO-220-3
250 V N-CHANNEL QFET MOSFET Power Field-Effect Transistor, 25.5A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)25.5 A
Current Rating25.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.45 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Elements1
Power Dissipation180 W
Rds On Max110 mΩ
Rise Time270 ns
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité