onsemi FQP19N20C
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|---|---|---|---|
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 13 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 13 hours ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FQP19N20C fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 200 V, 19 A, 170 mΩ, TO-220
Transistor MOSFET N-Channel 200 Volt 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
N-Channel 200 V 0.17 Ohm Through Hole Mosfet - TO-220-3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 19A, TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 19A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance170 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time115 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.08 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation139 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation139 W
Rds On Max170 mΩ
Resistance170 mΩ
Rise Time150 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time135 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité