onsemi FQD9N25TM-F080
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | FQD9N25TM-F080 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 12h | |||||||
| Worldway Electronics | FQD9N25TM-F080 | 25 705 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| Esaler Electronic | FQD9N25TM-F080 | 2 500 | 2d | |||||||||
| Aztech | FQD9N25TM_F080 | 18 277 | 1d | |||||||||
| Vigor Components | FQD9N25TM-F080 | 10 | 4d |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-06-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FQD9N25TM-F080 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 7.4 A, 420 mΩ, DPAK
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB
Mosfet, N-Ch, 250V, 7.4A, To-252; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:250V; Continuous Drain Current Id:7.4A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQD9N25TM-F080
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance420 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance700 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max420 mΩ
Rise Time105 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité