onsemi FQB7P20TM
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQB7P20TM fournies par ses distributeurs.
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -200 V, -7.3 A, 690 mΩ, D2PAK
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,7.3A I(D),TO-263AB
P-Channel 200 V 690 mOhm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET P-CH 200V 7.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
200 V P-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.3 A
Current Rating-7.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance690 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance770 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max690 mΩ
Resistance690 MΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)-200 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité