onsemi FQB7N60TM
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
VishayIRFS9N60ATRLPBF
IRFS9N60A Series 600 V 0.75 Ohms Single N-Channel SMT Power Mosfet - D2PAK
STMicroelectronicsSTB9NK60ZT4
N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi FQB7N60TM fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 7.4 A, 1 Ω, D2PAK
N-Channel 600 V 1 Ohm Surface Mount Mosfet - D2PAK-3
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
3.13W(Ta)，142W(Tc) 30V 5V@ 250µA 38nC@ 10V 1individualNChannel 600V 1Ω@ 3.7A,10V 7.4A 1.43nF@25V TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
MOSFET, N, SMD, TO-263; Transistor Type:Enhancement; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:7.4A; Resistance, Rds On:1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; No. of Pins:2; Power Dissipation:142W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.13W; Voltage, Vds Max:600V; Voltage, Vgs th Max:5V
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.4 A
Current Rating7.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.43 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.13 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Rise Time80 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité