onsemi FQAF8N80

Name: onsemi FQAF8N80
Brand: onsemi
SKU: FQAF8N80

800V N-channel Mosfet | Mosfet N-ch 800V 5.9A TO-3PF

$ 1.575

Obsolete

Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	FQAF8N80	221	192					1,750	1,650
Rochester Electronics		FQAF8N80	557					1,570	1,400	1,320	18h
Component Stockers USA		FQAF8N80	619			1,770	1,770	1,660	1,660	1,660	1d
Win Source		WS-FQAF8N80	20	3			16,077	13,484	13,484	13,484	19h
Worldway Electronics		FQAF8N80	26 367	7	Tube		0,494	0,479	0,454	0,454	18h

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Mouser

Datasheet8 pagesIl y a 25 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-04-19

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-06-06

LTD Date2008-12-06

Pièces détachées

onsemiFQAF10N80

Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 800V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Détails

onsemiFQAF7N90

Trans MOSFET N-CH 900V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail

Détails

onsemiFQAF11N90C

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 7 A, 1.1 Ω, TO-3PF

Détails

onsemiFQAF6N80

Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 800V, 1.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Détails

onsemiFQAF13N80

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800V, 8A, 750mΩ, TO-3PF

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQAF8N80 fournies par ses distributeurs.

800V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 800V 5.9A TO-3PF

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

N-CHANNEL POWER MOSFET

Jak Electronics

MOSFETs 800V N-Channel QFET

Mouser

MISCELLANEOUS MOSFETS;

Farnell

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSC

MountThrough Hole

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)5.9 A

Current Rating5.9 A

Drain to Source Breakdown Voltage800 V

Drain to Source Resistance1.2 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)800 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time80 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance2.35 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation107 W

Min Breakdown Voltage800 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation107 W

Rds On Max1.2 Ω

Rise Time110 ns

Turn-Off Delay Time100 ns

Voltage Rating (DC)800 V

Fiches techniques et documents

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Mouser

Datasheet8 pagesIl y a 25 ans

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans