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onsemi FMG2G75US60

IGBT Module Half Bridge 600V 75A 310W Chassis Mount 7PM-GA
Obsolete
Fiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Microchip USA
FMG2G75US60
286
50
Tray
USD
25,178
25,178
25,178
7h
ATI ACCURATE TECHNOLOGY
FMG2G75US60-FAIRCHILD
6
USD
116,00
98,600
98,600
98,600
98,600
5h
YIC International
FMG2G75US60
10 400
USD
36,259
36,259
36,259
36,259
7d
Worldway Electronics
FMG2G75US60
20 803
7
USD
17,622
17,289
16,624
16,292
14h
IC Components Ltd.
FMG2G75US60
10 100
USD
95,210
95,210
95,210
34,910
34,910
13h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FMG2G75US60.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 24 ans

Farnell

iiiC

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2009-09-12
LTD Date2010-03-12

Pièces détachées

onsemiFMG1G75US60H
7PM-GA Chassis Mount Single Standard IGBT Module 7.056nF @ 30V 75A 310W 600V
Détails
onsemiFMG1G75US60L
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
Détails
InfineonBSM50GB60DLCHOSA1
Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 280000mW 7-Pin 34MM Tray
Détails
onsemiFP7G75US60
Trans IGBT Module N-CH 600V 75A 310W 7-Pin EPM Rail
Détails
MicrochipAPTGF50DH60T1G
Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 12-Pin Case SP1
Détails
InfineonFS50R06W1E3BOMA1
Trans IGBT Module N-CH 600V 70A 205W 21-Pin EASY1B-1 Tray
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FMG2G75US60 fournies par ses distributeurs.

IGBT Module Half Bridge 600V 75A 310W Chassis Mount 7PM-GA
Avnet
600V, 75A IGBT Module (Molding Type)
Onlinecomponents.com
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IHS
IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA
Fly-Wing Technology
IGBT MODULE, 600V, 75A; Transistor Type:IGBT Module; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vces:600V; Current Ic Continuous a Max:75A; Voltage, Vce Sat Max:2.8V; Power Dissipation:310W; Case Style:7PM-GA; Termination Type:Screw; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:600V; Current, Icm Pulsed:150A; External Depth:93mm; Fixing Centres:80mm; Fixing Hole Diameter:5.4mm; Pin Configuration:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1; Power, Pd:310W; Time, Rise:40ns; Transistors, No. of:2
Farnell

Images

Farnell
UTSource
iiiC

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd