onsemi FMBM5401
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-03-11
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2026-01-06
LTD Date2026-07-06
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
PanasonicDMG204B00R
SC,COMPOSITE TRANSISTOR / PNP + NPN DUAL, LOW VCE(SAT), VCEO:-10V/50V, IC:-500MA/100MA
Descriptions
Descriptions de onsemi FMBM5401 fournies par ses distributeurs.
TRANS PNP 150V 0.6A SSOT-6 / Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
FMB5401 Series 150 V CE Breakdown .6 A PNP General Purpose Transistor - SSOT-6
BIPOLAR ARRAY, PNP, 150V, 0.6A, SSOT; Available until stocks are exhausted
TRANSISTOR PNP 150V 600MA SSOT-6
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
onsemi PNP, SOT-23, , -600 mA, --150 V
Small Signal Bipolar Transistor
IC,FMBM5401.,SSOT6, PNP GENERA L PURPOSE AMPLIFIER<AZ
SSOT-6 Operational Amplifier ROHS
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-150 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)150 V
Current Rating-600 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage150 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation700 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-150 V
Dimensions
Height900 µm
Length3 mm
Width1.68 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité