onsemi FMB5551
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-01-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FMB5551 fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
200mV@ 5mA,50mA 2 NPN (Dual) 700mW 6V 50nA 180V 160V 600mA SOT-23 3mm*1.7mm*1mm
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
FMB5551 Series 160 V 600 mA NPN General Purpose Amplifier - SuperSOT-6
TRANS, DUAL NPN, 160V, 0.6A, 150DEG C; Transistor Polarity: Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V; Power Dissipation Pd: 700mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 30hFE; Transistor Case Style: Super
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating600 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min30
Max Collector Current600 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN
Power Dissipation700 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)160 V
Dimensions
Height900 µm
Length3 mm
Width1.68 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité