onsemi FJV42MTF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2007-03-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.MMBTA42-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.DN350T05-7
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi FJV42MTF fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 350 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
350V 350mW 500mA 25@1mA10V 50MHz NPN 500mV@20mA2mA -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, NPN, 350V, 0.5A, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:25hFE; Tran
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage350 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Dimensions
Height1.2 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité