onsemi FJP3835TU
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-06-01
LTD Date2011-12-01
Descriptions
Descriptions de onsemi FJP3835TU fournies par ses distributeurs.
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 3A 4V 100muA ICBO 50W 30MHz
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
TRANS NPN 120V 8A TO-220
TRANS NPN 120V 8A TO220-3
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)200 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)8 V
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min120
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Transition Frequency30 MHz
Voltage Rating (DC)120 V
Fiches techniques et documents
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