onsemi FJN3314RTA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2001-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
onsemiFJN3303RTA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiFJN3306RTA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiFJN3304RTA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiFJN3304RBU
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Descriptions
Descriptions de onsemi FJN3314RTA fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
NPN Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor
Transistors with built-in resistors can be excellent space- and cost-saving solutions by reducing component count and simplifying circuit design.
Transistor, Npn, 50V, 0.1A, To-92; Digital Transistor Polarity:single Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100Ma; Base Input Resistor R1:4.7Kohm; Base-Emitter Resistor R2:47Kohm; Resistor Rohs Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min68
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité