onsemi FJB102TM
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-09-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsBUJ105AB,118
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi FJB102TM fournies par ses distributeurs.
NPN 80 W 100 V 8 A Surface Mount Power Darlington Transistor - D2PAK-3
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK / Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
100V High Voltage Power Darlington Transistor
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D2-PAK
onsemi NPN, D2PAK (TO-263), , -100 V
Npn Darl/3A/100V D2Pak Rohs Compliant: Yes
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
D2PAK Darlington Transistors ROHS
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min200
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation80 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)100 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité