onsemi FGA40T65SHDF
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-19
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
onsemiFGA6540WDF
IGBT 650V 80A 238W TO-3PN / Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
InfineonIHW40N65R5XKSA1
230W 1.35V Freestanding 650V 80A TO-247-3 Through hole mounting 15.9mm*5.03mm*20.95mm
InfineonIHW50N65R5XKSA1
IHW50N65R5 Series 650 V 80 A 282 W Reverse Conducting IGBT - PG-TO-247-3
InfineonIKW40N65WR5XKSA1
230W 1.4V 650V 80mA TO-247 wire mounting，Through hole mounting 15.94mm*502cm*20.95mm
Descriptions
Descriptions de onsemi FGA40T65SHDF fournies par ses distributeurs.
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 268 W Through Hole TO-3PN
650V FS Gen3 Trench IGBT - 3LD, TO3PN, PLASTIC, EIAJ SC-65, ISOLATED
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction and switching performance and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating and MWO.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.81 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current80 A
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation268 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation268 W
Reverse Recovery Time101 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height23.8 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité