onsemi FDZ663P
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-12-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2017-11-19
LTD Date2018-05-19
Pièces détachées
onsemiFDFMA2P853
Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -20V , -3.0A, 120mΩ
Diodes Inc.ZXMN2B01FTA
ZXMN2B01 Series 20 V 0.1 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
Descriptions
Descriptions de onsemi FDZ663P fournies par ses distributeurs.
1.3W(Ta) 8V 1.2V@250µA 8.2nC@4.5V P-Ch 20V 134mΩ@2A,4.5V 2.7A 525pF@10V BGA SMD
-20V P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-Pin WLCSP T/R
MOSFET PCh 1.5 V SPECIFIED PowerTrench MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench® process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, the FDZ663P minimizes both PCB space and rDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile (0.4 mm) and small (0.8x0.8 mm2) packaging, low gate charge, and low rDS(on).
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight67 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance134 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance525 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max134 mΩ
Rise Time6.2 ns
Turn-Off Delay Time67 ns
Turn-On Delay Time4.8 ns
Dimensions
Height150 µm
Length800 µm
Width800 µm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité