onsemi FDY1002PZ
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2008-10-06
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsPMR290XN,115
MOSFET, N CH, 20V, 0.29OHM, 970mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Descriptions
Descriptions de onsemi FDY1002PZ fournies par ses distributeurs.
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET, (-1.5 V) Specified, -20V, -0.83A, 0.5Ω
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.83A 6-Pin SC-89 T/R
Avnet Japan
Dual P-Channel 20 V 0.83 A 0.5 Ohm PowerTrench® Mosfet -SC-89-6
This Dual P-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process to optimize the rDS(on)@VGS = –1.5 V.
MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.83A, SC-89-6; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -830mA; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.28ohm; Rds(on; Available until stocks are exhausted
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight32 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)-830 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance135 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Breakdown Voltage-20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation446 mW
Rds On Max500 mΩ
Resistance500 mΩ
Rise Time2.9 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Dimensions
Height700 µm
Length1.7 mm
Width1.2 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité