onsemi FDW2503NZ
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDW2503NZ fournies par ses distributeurs.
1.5V@ 250µA 17nC@ 4.5V 2individualNChannel 20V 20mΩ@ 5.5A,4.5V 1.286nF@10V TSSOP-8 SMD mount
20V/12V, 20/26MO, NCH, DUAL, TSSOP8, 300A GOX W/ ZENER, PTII
Trans MOSFET N-CH 20V 5.5A 8-Pin TSSOP T/R
Dual - N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs Dual N-Channel 2.5V MOSFET
MOSFET, DUAL, N, SMD, TSSOP-8; Transistor Type:PowerTrench; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:5.5A; Resistance, Rds On:0.02ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:TSSOP; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:30A; No. of Pins:8; Power, Pd:1W; SMD Marking:2503NZ; Typ Capacitance Ciss:1286pF; Voltage, Vds Max:20V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTSSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Current Rating5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance1.286 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation600 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation600 mW
Rds On Max20 mΩ
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.2 mm
Fiches techniques et documents
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