onsemi FDT3N40TF
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-12-07
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDT3N40TF fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 400V, 2A, 3.4Ω, SOT-223
FDT3N40TF N-Channel MOSFET, 2 A, 400 V UniFET, 3 + Tab-Pin SOT-223 ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223
400 V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 400V, 2A, SOT-223-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 2A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 2.8ohm; R; Available until stocks are exhausted Alternative available
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance3.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance225 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max3.4 Ω
Rise Time30 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.5 mm
Width3.5 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité