onsemi FDS89141
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-12-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS89141 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 100V 3.5A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 3.5A, 62mΩ
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
MOSFET, NN CH, 100V, 3.5A, 8SOIC; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.1V; Power Dissipation Pd:31W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance62 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationDual
Fall Time2.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance398 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max62 mΩ
Resistance62 MΩ
Rise Time1.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.1 V
Turn-Off Delay Time9.8 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4 mm
Width5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité