onsemi FDS7064N
$ 1.395
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FDS7064N | 12 500 | 202 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDS7064N | 65 979 | 1d | |||||||||
| Avnet | FDS7064N | 0 | 2500 | 5d | ||||||||
| Component Stockers USA | FDS7064N | 50 215 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-FDS7064N | 30 800 | 315 | 9h |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF8113PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS7064N fournies par ses distributeurs.
30V N-Channel PowerTrench MOSFET | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
30V/12V, 7.5MO, NCH, SINGLE, SO8B, 300A GOX, PTII
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Current Rating16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.355 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time54 ns
Voltage Rating (DC)30 V
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité