onsemi FDS6675BZ
$ 0.412
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -17.36%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDS6675BZ.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDS6675BZ, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger | |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySI4425DDY-T1-GE3
SI4425DDY Series 30 V 9.8 mOhm 80 nC P-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7413PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.011Ohm;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF 1
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS6675BZ fournies par ses distributeurs.
P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -11A, 13mΩ
Transistor: P-Mosfet; Unipolar; -30V; -11A; 2.5W; So8
-30 V, -11 A, 13 MILLI OHM P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -17.36%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.47 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2 V
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max13 mΩ
Resistance21.8 MΩ
Rise Time7.8 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDS6675BZ.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité