onsemi FDS4480
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-08-30
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7413PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.011Ohm;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF 1
InfineonIRF7805PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 9.2Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS4480 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 40 V 12 mOhm SMT PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
40V N-Channel PowerTrench® MOSFET, 10.8A, 12mΩ
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC N T/R
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:10.8A; On Resistance Rds(On):0.008Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.9V Rohs Compliant: Yes
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.8 A
Current Rating10.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.686 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.2 W
Rds On Max12 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.9 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité