onsemi FDS4465-F085
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-02-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2020-10-01
LTD Date2021-04-01
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7425TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 8.2 Milliohms;ID -15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
InfineonIRF7425PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 8.2 Milliohms;ID -15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS4465-F085 fournies par ses distributeurs.
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -13.5A, 8.5 mΩ
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Pmos So8 20V 8.5 Mohm/Reel |Onsemi FDS4465-F085
This P-Channel 1.8V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (1.8V – 8V).
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight230.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.5 A
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time140 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance8.237 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8.5 mΩ
Rise Time24 ns
Turn-Off Delay Time300 ns
Turn-On Delay Time20 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité