onsemi FDS4435BZ
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7416PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF7416TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS4435BZ fournies par ses distributeurs.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -8.8A, 20mΩ
P-Channel 30 V 20 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
onsemi PChannel EnhancedMOSTube, Vds=30 V, 8.8 A, SOICencapsulation, surface mount, 8Pin
MOSFET-P-Channel, POWERTRENCH Power Field-Effect Transistor
ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC
This P–Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on–state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.8 A
Current Rating-8.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.845 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max20 mΩ
Resistance20 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité