onsemi FDPF190N15A
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRFI4321PBF
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB FullPak package, TO-220-3 FP, RoHS
InfineonIRFI4228PBF
150V Single N-Channel PDP Switch HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Full-Pak package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDPF190N15A fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 150 V 33 W 39 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220F
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 27.4A, 19mΩ
Mosfet, N-Ch, 150V, 27.4A, 150Deg C, 33W Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDPF190N15A
Trans MOSFET N-CH 150V 27.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 150V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)27.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.685 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation33 W
Rds On Max19 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité