onsemi FDPC5018SG
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-05-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRFHM830TRPBF
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
InfineonIRFHM830DTRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PG-TSDSON-8, RoHS
VishaySIR436DP-T1-GE3
SIR436DP-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 25 A, 25 V, 8-PIN POWERPAK SO
InfineonIRFH9310TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDPC5018SG fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 56A/109A 8-Pin PQFN T/R
Asymmetric Dual N-Channel PowerTrench® Power Clip MOSFET, 30V
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin PQFN EP T/R
2.3W ¡À20 @ Q 1|¡À12 @ Q 2 3V@ 250¦ÌA 24nC@ 10V 2N 30V 5m¦¸@ 17A,10V 17A,32A 1.715nF@15V PQFN 800¦Ìm
Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH DUAL 30V PWRCLIP56
PT8+ N & PT8 N ERCLIP 56 ROHS COMPLIANT: YES
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight207.7333 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance1.715 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Rds On Max5 mΩ
Schedule B8541290080
Dimensions
Height800 µm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité