onsemi FDP7N60NZ

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 6.5 A, 1.25 Ω, TO-220
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkFDP7N60NZ01K
FarnellFDP7N60NZ01
1d
Component Stockers USAFDP7N60NZ17 074
16h
Win SourceWS-FDP7N60NZ95060
3h
Worldway ElectronicsFDP7N60NZ8 1547Tube
2h

Fiches techniques et documents

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Technical Drawing1 pageIl y a 6 ans

IHS

onsemi

Fairchild Semiconductor

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTP6NK60Z
Transistor MOSFET N Channel 600 Volt 6 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-220 Tube
Détails
STMicroelectronicsSTP9NK60Z
N-channel 600 V, 0.85 Ohm typ., 7 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Détails
STMicroelectronicsSTP9NK70Z
N-Channel 700V - 1Ohm - 7.5A - TO-220 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDP7N60NZ fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 600 V, 6.5 A, 1.25 Ω, TO-220
onsemi
Trans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 600V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET,N CH,600V,6.5A,TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:147W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
Farnell
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Images

RS
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDP7N60NZ.