onsemi FDP42AN15A0
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-08-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRFB812PBF
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP42AN15A0 fournies par ses distributeurs.
TO-220AB, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 35A, 42mΩ
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
onsemi N-Channel MOSFET PowerTrench, Vds=150V 5A TO-220AB TH 3-Pin
150V 35A 42m´Î@10V12A 150W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, SMD, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:35A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:150W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating35 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.055 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max480 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité