onsemi FDP39N20
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-10-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP39N20 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 200 V, 39 A, 66 mΩ, TO-220
N-Ch MOSFET 200V 39A 66mΩ@19.5A,10V 251W(Tc) 2.13nF@25V TO-220-3 TH 10.67mm × 4.7mm × 16.3mm
200V 39A 66m´Î@10V19.5A 251W 5V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 200V, 0.066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)39 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance66 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time150 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.13 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation251 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation251 W
Rds On Max66 mΩ
Rise Time160 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time150 ns
Turn-On Delay Time30 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité