onsemi FDP2D3N10C
$ 3.458
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2017-05-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP2D3N10C fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 / N-Channel 100 V 222A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
FDP Series 100V 2.3mOhm 45W Through Hole N-Channel PowerTrench® Mosfet - TO-220
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Shielded Gate, 100V, 222A, 2.3mΩ N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100V, 222A, 2.3mΩ
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.4 W
Turn-Off Delay Time74 ns
Turn-On Delay Time42 ns
Dimensions
Height19.85 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité