onsemi FDMS86520
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-12-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNTB18N06T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 15A Tc 15A 48.4W 13ns
VishaySQJ992EP-T1_GE3
VISHAY SQJ992EP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 15 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 2 V
STMicroelectronicsSTD16NF06T4
STD16NF06T4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 16 A, 60 V, 3-PIN TO-252
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS86520 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 42A, 7.4mΩ
MOSFET, N-CH, 60V, 42A, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 42A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.6V; Power
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch noderinging of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimizedfor low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance7.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.85 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation69 W
Rds On Max7.4 mΩ
Rise Time6.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.25 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité