onsemi FDMS86310
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-01-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonBSC047N08NS3GATMA1
80V N-CHANNEL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY SWITCHING AND DC-DC CONVERTERS
InfineonBSC036NE7NS3GATMA1
2.5KW 20V 3.8V 63.4nC@ 10V 1N 75V 3.6m¦¸@ 10V 100A 4.4nF@ 37.5V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS86310 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH Si 80V 17A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 80V 17A 8-PQFN
Single N-Channel 80 V 7.2 mOhm 78 nC 96 W PowerTrench SMT Mosfet - POWER 56-8
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 80V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and bodydiode reverse recovery performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4.8 mΩ
Rise Time23 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width5.85 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité