onsemi FDMS86300

Name: onsemi FDMS86300
Brand: onsemi
SKU: FDMS86300

Trans Mosfet N-ch Si 80V 19A 8-PIN Pqfn Ep T/r / Mosfet N-ch 80V 19A POWER56

$ 1.227

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	FDMS86300	75 232	3K						1,081	2d
Verical		FDMS86300	129	6			1,101	1,091	1,091	1,091
Arrow Electronics		FDMS86300	129	1		1,106	1,101	1,091	1,091	1,091
Future Electronics		FDMS86300	9 000	3K	Tape & Reel					1,780
DigiKey	2	FDMS86300CT-ND	2 126	1	Cut Tape	3,420	2,226	1,544	1,224	1,224

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IHS

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onsemi

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-08-19

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

InfineonIRFR3518PBF

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Détails

onsemiFDD3672

N-Channel MOSFET, UltraFET® Trench, 100V, 44A, 28mΩ

Détails

STMicroelectronicsSTB55NF06T4

N-Channel 60V - 0.017Ohm - 50A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET

Détails

onsemiFDD10AN06A0

Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK

Détails

STMicroelectronicsSTD40NF10

N-channel 100 V, 0.025 Ohm, 50 A DPAK low gate charge STripFET(TM) II Power MOSFET

Détails

onsemiFDD16AN08A0

N-Channel 75 V 50 A 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252AA

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDMS86300 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 80V 19A POWER56

Win Source

Single N-Channel 80 V 5.8 mOhm 86 nC 104 W PowerTrench SMT Mosfet - POWER 56-8

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 42 A, 0.0032 ohm, Power 56, Surface Mount

Avnet

N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 122A, 3.9mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 122A I(D), 80V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA

IHS

MOSFET, N CH, 150V, 42A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.4V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C

element14 APAC

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.

Fairchild Semiconductor

Images

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

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Spécifications techniques

Physical

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight68.1 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)19 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance3.9 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance7.082 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation104 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs3.4 V

Number of Elements1

Power Dissipation104 W

Rds On Max3.9 mΩ

Rise Time26 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage3.4 V

Turn-Off Delay Time36 ns

Turn-On Delay Time31 ns

Dimensions

Height1.05 mm

Length5 mm

Width6 mm

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement4 pagesIl y a 12 ans

Materials Sheet3 pagesIl y a 12 ans

Reach Statement4 pagesIl y a 11 ans

Materials Sheet3 pagesIl y a 11 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans

Rohs StatementN/AN/A