onsemi FDMS86200

Fairchild FDMS86200 N-channel Mosfet Transistor, 52 A, 150 V, 8-PIN Power 56
$ 1.111
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
FDMS8620045 0003K
2d
Newark
2
FDMS862009 6301
Verical
4
FDMS8620010 32550
Future Electronics
3
FDMS8620060 0003KTape & Reel
Master ElectronicsFDMS8620010 34025

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFDMS86201
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 120V, 49A, 11.5mΩ
Détails
VishaySQD25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252 / Trans MOSFET N-CH 150V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Détails
onsemiFDB2552
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 37A, 36mΩ
Détails
InfineonIRF3415STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
Détails
onsemiHUFA75842S3S
MOSFETs 43a, 150V, 0.042 Ohm N-Ch MOSFET
Détails
InfineonIRF6643TRPBF
Single N-Channel 150 V 34.5 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDMS86200 fournies par ses distributeurs.

FAIRCHILD FDMS86200 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 52 A, 150 V, 8-PIN POWER 56
RS (Formerly Allied Electronics)
N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 35A, 18mΩ
onsemi
N-Channel 150 V 35 A Shielded Gate PowerTrench Mosfet - POWER56
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 150V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
IHS
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Fairchild Semiconductor
MOSFET, N CH, 150V, 35A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
element14 APAC

Images

element14 APAC
Farnell
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TME
Newark
iiiC
RS
LZChips

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDMS86200.