onsemi FDMS5362L-F085
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-12-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
InfineonIPG20N06S4L26AATMA1
60V, Dual N-Ch, 26 mΩ max, Automotive MOSFET, dual SS08 (5x6), OptiMOS™-T2, PG-TDSON-8, RoHS
Diodes Inc.DMP6023LE-13
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7A; 0.028ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223
Diodes Inc.DMN6040SK3-13
N-Channel 60 V 40 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO-252-3
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS5362L-F085 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power Trench® MOSFET 60V, 17.6A, 26mΩ
Trans MOSFET N-CH 60V 17.6A Automotive 8-Pin Power 56 EP T/R
N-Channel Powertrench Mosfet / Tape Reel
Power Field-Effect Transistor, 17.6A I(D), 60V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 60V 17.6A (Tc) 41.7W (Tc) Surface Mount Power56
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight172.8 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance878 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation41.7 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max33 mΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time11 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité