onsemi FDMS0310S
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-04-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-01-07
LTD Date2022-07-07
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
onsemiFDMS0308AS
2.5W(Ta) 50W(Tc) 20V 3V@1mA 47nC@10V N-Ch MOSFET 30V 2.8mΩ@24A,10V 24A/49A 3nF@15V QFN SMD 6mm × 5mm × 1.1mm
onsemiFDMS0309AS
FDMS0309AS Series 30 V 49 A 3.5 mOhm N-Channel Power Trench SyncFET - POWER-56
VishaySIR818DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.0028 Ohm 69 W Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
InfineonIRFH8316TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
VishaySIR464DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.0031 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS0310S fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
2.5W(Ta)，46W(Tc) 20V 3V@1mA 46nC@ 10V 1individualNChannel 30V 4mΩ@ 18A,10V 19A，42A 2.82nF@15V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
The FDMS0310S has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.82 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max4 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1 mm
Length6 mm
Width5 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité