onsemi FDMS0310AS
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-08-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
VishaySIRA12DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 4.3 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8
VishaySI4842BDY-T1-E3
N-Ch MOSFET, 30V, 28A, 4.2mΩ@20A,10V, 3.65nF@15V, SOIC-8, SMD, 4.9mm × 3.9mm × 1.75mm
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS0310AS fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 30V 19A PT8
N-Channel PowerTrench® SyncFET™ 30V, 22A, 4.3mΩ
MOSFET Gaming/DT/Notebook/NVDC/Server
2.5W(Ta)，41W(Tc) 20V 3V@1mA 37nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 4.3mΩ@ 19A,10V 19A，22A 2.28nF@15V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
TAPE REEL / SINGLE PT8 N 30/20 SYNCFET
The FDMS0310AS has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight74 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.28 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4.3 mΩ
Rise Time3.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité