onsemi FDME510PZT
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-02-24
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2025-01-05
LTD Date2025-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDME510PZT fournies par ses distributeurs.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -6A, 37mΩ
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 6-Pin MicroFET T/R
MOSFET, P CH, 20V, 6A, MFET1.6X1.6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-500mV; Power Dissipation Pd:2.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MicroFET; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This device is designed specifically for battery charging or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low on-state resistance. The MicroFET 1.6x1.6 Thin package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to switching and linear mode applications
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance37 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time54 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.49 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-500 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation700 mW
Rds On Max37 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-500 mV
Turn-Off Delay Time93 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Dimensions
Height550 µm
Length1.6 mm
Width1.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité