onsemi FDMC8296
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-03-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
InfineonBSC079N03LSCGATMA1
Surface Mount Ceramic Multilayer Capacitor 0.0015uF 5% C0G 50V 0805 Paper T/R
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMC8296 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 30 V 8 mOhm 23 nC SMT PowerTrench® Mosfet - MLP 3.3x3.3
N-Channel Power Trench® MOSFET 30V, 18A, 8.0mΩ
This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductor‘s advanced Power Trench® process thatbeen especially tailored to minimize the on-state resistance.device is welll suited for Power Management and load switchingapplications common in Notebook Computers and PortableBattery Packs.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight210 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.385 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation27 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time3 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité