onsemi FDMC6679AZ
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-05-21
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD12NF06L-1
N-channel 60 V, 0.08 Ohm typ., 12 A STripFET II Power MOSFET in a IPAK package
InfineonIPU50R2K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3 N-Channel 500 V 2.4A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
InfineonIPS70R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251 / N-Channel 700 V 5.4A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
InfineonIPU60R1K5CEAKMA2
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO251-3 N-Channel 600 V 3.1A (Tc) 49W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMC6679AZ fournies par ses distributeurs.
P-MOSFET transistor FDMC6679AZ Fairchild; -30V; -20A; 10mOhm; SMD MLP 3.3x3.3
P-Channel Power Trench® MOSFET -30V, -20A, 10mΩ
Trans MOSFET P-CH Si 30V 11.5A 8-Pin WDFN EP T/R / MOSFET P-CH 30V POWER33
FDMC6679AZ Series 30 V -20 A 10 mOhm P-Channel PowerTrench® MOSFET - MLP-8
MOSFET, P CH, 30V, 20A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0086ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.8V; Power Dissipation Pd:41W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
The FDMC6679AZ has been designed to minimize losses in load switch applications. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) and ESD protection.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight165.33333 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.97 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité