onsemi FDMC510P
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMP2008UFG-13
P-Ch MOSFET 20V 8mΩ@12A,4.5V 14A 54A 72nC@4.5V 6.909nF@10V PDI-33338 SMD 2.4W(Ta) 41W(Tc)
InfineonIRF7425TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 8.2 Milliohms;ID -15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-1
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMC510P fournies par ses distributeurs.
Single P-Channel 20 V 17 mOhm 116 nC 41 W PowerTrench SMT Mosfet - MLP-3.3x3.3
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R / MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP
This P-channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been optimized for RDS(ON), switching performance and ruggedness.
MOSFET,P CH,20V,18A,MLP3.3X3.3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-500mV; Power Dissipation Pd:41W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight165.33333 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time170 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance7.86 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-500 mV
Turn-Off Delay Time338 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité