onsemi FDMC3612

Name: onsemi FDMC3612
Brand: onsemi
SKU: FDMC3612

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 12A, 110mΩ

$ 0.311

Production

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		FDMC3612	1 327	1		0,968	0,609	0,401	0,282	0,282
Verical	3	FDMC3612	2 294	891					0,389	0,346
Future Electronics		FDMC3612	24 000	3K	Tape & Reel					0,410
Rochester Electronics		FDMC3612	22 287					0,374	0,311	0,277	31m
DigiKey	3	FDMC3612CT-ND	14 445	1	Cut Tape	1,340	0,844	0,557	0,393	0,393

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IHS

Datasheet10 pagesIl y a 4 ans

Datasheet0 pageIl y a 0 an

JRH Electronics

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element14 APAC

onsemi

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-07-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFDT3612

ON SEMICONDUCTOR - FDT3612 - MOSFET Transistor, N Channel, 3.7 A, 100 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V

Détails

onsemiFDS86106

Trans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-SOIC

Détails

Diodes Inc.DMN10H120SFG-13

Mosfet, N-Ch, 100V, 3.8A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H120SFG-13

Détails

Diodes Inc.DMN10H099SFG-7

Mosfet, N-Ch, 100V, 4.2A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H099SFG-7

Détails

Diodes Inc.DMN10H120SFG-7

Mosfet, N-Ch, 100V, 3.8A, Powerdi 3333 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN10H120SFG-7

Détails

onsemiFDN8601

MOSFET, N CH, 100V, 2.7A, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDMC3612 fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 12A, 110mΩ

onsemi

N-Channel 100 V 12 A 110 mOhm Surface Mount PowerTrench® MOSFET-MLP 3.3 x 3.3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA

Semicontronic

MOSFET, N CH, 100V, 16A, MLP 3.3X3.3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:35W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MLP; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

Images

Farnell

Rochester Electronics

LZChips

Rochester Electronics

element14 APAC

Future Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Spécifications techniques

Physical

Contact PlatingGold

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals5

Weight180 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance110 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time2 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance880 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation35 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs2.5 V

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.3 W

Rds On Max110 mΩ

Rise Time2.8 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2.5 V

Turn-Off Delay Time19 ns

Turn-On Delay Time7.4 ns

Dimensions

Height800 µm

Length3.3 mm

Width3.3 mm

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Datasheet0 pageIl y a 0 an

JRH Electronics

Upverter

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onsemi

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement3 pagesIl y a 12 ans

Materials Sheet3 pagesIl y a 12 ans

Reach Statement3 pagesIl y a 11 ans

Materials Sheet3 pagesIl y a 11 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans

Rohs StatementN/AN/A