onsemi FDMA86265P
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-05-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
VishaySI7117DN-T1-GE3
SI7117DN-T1-GE3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.7 A, 150 V, 8-PIN POWERPAK 1212
VishaySI7117DN-T1-E3
Single P-Channel 150 V 1.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-1212-8
InfineonIRF5802TRPBF
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
VishaySI3437DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP / Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMA86265P fournies par ses distributeurs.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -150V, -1A, 1.2Ω
Transistor, MOSFET, P-Channel, 150V, 1A, 0.9W, 6-WDFN Pad
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process that has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
MOSFET, P-CH, -150V, -1A, MICROFET-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.86ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance210 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation900 mW
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time2.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time5.8 ns
Dimensions
Height850 µm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité