onsemi FDMA86151L
$ 0.582
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FDMA86151L | 6 992 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDMA86151L | 129 000 | 555 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMA86151L | 129 000 | 3h | |||||||||
| DigiKey | FDMA86151LCT-ND | 9 498 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FDMA86151L | 0 | 750 | Bulk |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-11-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMA86151L fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 3.3A, 88mΩ
MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET / N-Channel 100 V 3.3A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-Pin MicroFET EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 100V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
100/20V SINGLE N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET
2.4W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 7.3nC@ 10 V 1N 100V 88m¦¸@ 3.3A,10V 3.3A 450pF@50V MICROFET-6 2mm*2mm*750¦Ìm
MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
Fet 100V 88.0 Mohm Mlp22 |Onsemi FDMA86151L
MOSFET, N-CH, 3.3A, 100V, WDFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.3A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power
This device has been designed to provide maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The low rDS(on) and gate charge provide excellent switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/Package100
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance88 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance450 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation900 mW
Rds On Max88 mΩ
Rise Time1.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time5.6 ns
Dimensions
Height800 µm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité