onsemi FDH047AN08A0
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-04-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIPW50R190CEFKSA1
Mosfet Transistor, N Channel, 18.5 A, 500 V, 0.17 Ohm, 13 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPW60R199CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247 / Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descriptions
Descriptions de onsemi FDH047AN08A0 fournies par ses distributeurs.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 75V, 80A, 4.7mΩ
N-Channel 75 V 4.7 mOhm PowerTrench Mosfet TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
310W(Tc) 20V 4V@ 250µA 138nC@ 10V 1individualNChannel 75V 4.7mΩ@ 80A,10V 15A 6.6nF@25V TO-247 Through hole mounting 15.87mm*4.82mm*20.82mm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance4.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.6 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max4.7 mΩ
Resistance4.7 MΩ
Rise Time88 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité