onsemi FDG6316P
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2001-10-11
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDG6316P fournies par ses distributeurs.
PowerTrench® MOSFET, P-Channel 1.8V Specified, -12V, -0.7 A, 270 mΩ
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R
Avnet Japan
This P-channel 1.8V specified MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management applications.
MOSFET, PP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):221mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-700mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:300mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:12V; Voltage Vgs Max:-600mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Current Rating-700 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-12 V
Element ConfigurationDual
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance146 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation300 mW
Rds On Max270 mΩ
Resistance270 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-600 mV
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)-12 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité