onsemi FDG332PZ
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | FDG332PZ | 102 800 | 6d | |||||||||
| Newark | FDG332PZ | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | FDG332PZ | 0 | 5K | 9h | ||||||||
| Component Stockers USA | FDG332PZ | 8 220 | 21h | |||||||||
| Win Source | WS-FDG332PZ | 59 450 | 75 | 8h |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2007-07-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-11-13
LTD Date2021-05-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDG332PZ fournies par ses distributeurs.
P-Channel 20 V 95 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet SC70-6
PowerTrench® MOSFET, P-Channel, -20V, -2.6A, 97mΩ
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 6-Pin SC-70 T/R / MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6
This P-Channel MOSFET uses Fairchild’s advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight28 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance560 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation480 mW
Rds On Max95 mΩ
Resistance95 MΩ
Rise Time4.8 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-700 mV
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2 mm
Width1.25 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité